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MT47H32M8BP-5E:B

MT47H32M8BP-5E:B

僅供參考

型號 MT47H32M8BP-5E:B
PNEDA編號 MT47H32M8BP-5E-B
描述 IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 2,070
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT47H32M8BP-5E:B資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT47H32M8BP-5E:B
類別半導體內存IC內存
數據表
MT47H32M8BP-5E:B, MT47H32M8BP-5E:B數據表 (總頁數: 133, 大小: 9,390.91 KB)
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MT47H32M8BP-5E:B規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR2
內存大小256Mb (32M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率200MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間600ps
電壓-供電1.7V ~ 1.9V
工作溫度0°C ~ 85°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱60-FBGA
供應商設備包裝60-FBGA (8x12)

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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工作溫度

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

供應商設備包裝

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內存接口

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時鐘頻率

667MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

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電壓-供電

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安裝類型

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包裝/箱

96-TFBGA

供應商設備包裝

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制造商

Micron Technology Inc.

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內存類型

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512Mb (32M x 16)

內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

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電壓-供電

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安裝類型

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供應商設備包裝

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