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MT47H512M4THN-25E:M TR

MT47H512M4THN-25E:M TR

僅供參考

型號 MT47H512M4THN-25E:M TR
PNEDA編號 MT47H512M4THN-25E-M-TR
描述 IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 2,250
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 28 - 五月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT47H512M4THN-25E:M TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT47H512M4THN-25E:M TR
類別半導體內存IC內存
數據表
MT47H512M4THN-25E:M TR, MT47H512M4THN-25E:M TR數據表 (總頁數: 13, 大小: 312.31 KB)
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MT47H512M4THN-25E:M TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR2
內存大小2Gb (512M x 4)
內存接口Parallel
時鐘頻率400MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間400ps
電壓-供電1.7V ~ 1.9V
工作溫度0°C ~ 85°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱63-TFBGA
供應商設備包裝63-FBGA (8x10)

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

3.4ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

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訪問時間

45ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

68-LCC (J-Lead)

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內存類型

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內存格式

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技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

4.5Mb (128K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.5ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

100-LQFP

供應商設備包裝

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

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工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存類型

Volatile

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512Kb (32K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

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訪問時間

6.5ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

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