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MT47H64M8B6-5E:D TR

MT47H64M8B6-5E:D TR

僅供參考

型號 MT47H64M8B6-5E:D TR
PNEDA編號 MT47H64M8B6-5E-D-TR
描述 IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 2,772
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT47H64M8B6-5E:D TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT47H64M8B6-5E:D TR
類別半導體內存IC內存
數據表
MT47H64M8B6-5E:D TR, MT47H64M8B6-5E:D TR數據表 (總頁數: 122, 大小: 4,944.76 KB)
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MT47H64M8B6-5E:D TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR2
內存大小512Mb (64M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率200MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間600ps
電壓-供電1.7V ~ 1.9V
工作溫度0°C ~ 85°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱60-FBGA
供應商設備包裝60-FBGA

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

25ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

167MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.4ns

電壓-供電

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工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

100-LQFP

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制造商

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

4Kb (512 x 8, 256 x 16)

內存接口

SPI

時鐘頻率

3MHz

寫周期-字,頁

2ms

訪問時間

-

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

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內存格式

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技術

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內存大小

512Mb (64M x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

16-SOIC

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制造商

Cypress Semiconductor Corp

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

20ns

電壓-供電

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工作溫度

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