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MT47H64M8CB-3:B

MT47H64M8CB-3:B

僅供參考

型號 MT47H64M8CB-3:B
PNEDA編號 MT47H64M8CB-3-B
描述 IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 5,238
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT47H64M8CB-3:B資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT47H64M8CB-3:B
類別半導體內存IC內存
數據表
MT47H64M8CB-3:B, MT47H64M8CB-3:B數據表 (總頁數: 139, 大小: 9,398.13 KB)
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MT47H64M8CB-3:B規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR2
內存大小512Mb (64M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率333MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間450ps
電壓-供電1.7V ~ 1.9V
工作溫度0°C ~ 85°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱60-FBGA
供應商設備包裝60-FBGA

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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內存接口

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時鐘頻率

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45ns

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內存大小

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時鐘頻率

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