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MT47H64M8JN-25E:G

MT47H64M8JN-25E:G

僅供參考

型號 MT47H64M8JN-25E:G
PNEDA編號 MT47H64M8JN-25E-G
描述 IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 7,362
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT47H64M8JN-25E:G資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT47H64M8JN-25E:G
類別半導體內存IC內存

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MT47H64M8JN-25E:G規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR2
內存大小512Mb (64M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率400MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間400ps
電壓-供電1.7V ~ 1.9V
工作溫度0°C ~ 85°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱60-TFBGA
供應商設備包裝60-FBGA (8x10)

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

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電壓-供電

1.65V ~ 2V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Microchip Technology

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

2Kb (256 x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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Surface Mount

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內存類型

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內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

512Mb (64M x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O, QPI

時鐘頻率

80MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 2V

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安裝類型

Surface Mount

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制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

512Kb (64K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

20MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-55°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

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Microchip Technology

制造商

Microchip Technology

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

16Mb (528 Bytes x 4096 pages)

內存接口

SPI

時鐘頻率

50MHz

寫周期-字,頁

6ms

訪問時間

-

電壓-供電

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工作溫度

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