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MT49H16M18BM-18:B

MT49H16M18BM-18:B

僅供參考

型號 MT49H16M18BM-18:B
PNEDA編號 MT49H16M18BM-18-B
描述 IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 6,552
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT49H16M18BM-18:B資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT49H16M18BM-18:B
類別半導體內存IC內存

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MT49H16M18BM-18:B規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術DRAM
內存大小288Mb (16M x 18)
內存接口Parallel
時鐘頻率533MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間15ns
電壓-供電1.7V ~ 1.9V
工作溫度0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱144-TFBGA
供應商設備包裝144-µBGA (18.5x11)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

25ns

訪問時間

25ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

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安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

800MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

20ns

電壓-供電

1.283V ~ 1.45V

工作溫度

-40°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

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時鐘頻率

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