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MT49H32M18CBM-25 IT:B

MT49H32M18CBM-25 IT:B

僅供參考

型號 MT49H32M18CBM-25 IT:B
PNEDA編號 MT49H32M18CBM-25-IT-B
描述 IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 5,256
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT49H32M18CBM-25 IT:B資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT49H32M18CBM-25 IT:B
類別半導體內存IC內存
數據表
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MT49H32M18CBM-25 IT:B規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術DRAM
內存大小576Mb (32M x 18)
內存接口Parallel
時鐘頻率400MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間20ns
電壓-供電1.7V ~ 1.9V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱144-TFBGA
供應商設備包裝144-µBGA (18.5x11)

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

1.1V

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

150ns

訪問時間

150ns

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

34-PowerCap Module

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

256Kb (32K x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

900ns

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

100ns

訪問時間

100ns

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工作溫度

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安裝類型

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

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內存接口

SPI

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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