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MT49H8M36BM-25 IT:B TR

MT49H8M36BM-25 IT:B TR

僅供參考

型號 MT49H8M36BM-25 IT:B TR
PNEDA編號 MT49H8M36BM-25-IT-B-TR
描述 IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 6,930
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 13 - 一月 18 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT49H8M36BM-25 IT:B TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT49H8M36BM-25 IT:B TR
類別半導體內存IC內存

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MT49H8M36BM-25 IT:B TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術DRAM
內存大小288Mb (8M x 36)
內存接口Parallel
時鐘頻率400MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間20ns
電壓-供電1.7V ~ 1.9V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱144-TFBGA
供應商設備包裝144-µBGA (18.5x11)

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

36Mb (1M x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

250MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

165-LBGA

供應商設備包裝

165-FBGA (15x17)

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

512Mb (32M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

700ps

電壓-供電

2.3V ~ 2.7V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)

供應商設備包裝

66-TSOP II

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - DDR

內存大小

256Mb (16M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

700ps

電壓-供電

2.5V ~ 2.7V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)

供應商設備包裝

66-TSOP

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Microchip Technology

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

FLASH

內存大小

4Mb (264 Bytes x 2048 pages)

內存接口

SPI

時鐘頻率

15MHz

寫周期-字,頁

14ms

訪問時間

-

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)

供應商設備包裝

28-TSOP

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時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

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12ns

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工作溫度

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