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MT53B512M16D1Z11MWC2 MS

MT53B512M16D1Z11MWC2 MS

僅供參考

型號 MT53B512M16D1Z11MWC2 MS
PNEDA編號 MT53B512M16D1Z11MWC2-MS
描述 LPDDR4 8G DIE 512MX16
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 7,722
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT53B512M16D1Z11MWC2 MS資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT53B512M16D1Z11MWC2 MS
類別半導體內存IC內存

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MT53B512M16D1Z11MWC2 MS規格

制造商Micron Technology Inc.
系列*
內存類型-
內存格式-
技術-
內存大小-
內存接口-
時鐘頻率-
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - DDR3L

內存大小

1Gb (128M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

933MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

20ns

電壓-供電

1.283V ~ 1.45V

工作溫度

-40°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

78-TFBGA

供應商設備包裝

78-TWBGA (8x10.5)

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制造商

Adesto Technologies

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

4Mb (264 Bytes x 2048 pages)

內存接口

SPI

時鐘頻率

85MHz

寫周期-字,頁

8µs, 3ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.65V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

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制造商

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, DDR II

內存大小

72Mb (4M x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

333MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

165-LBGA

供應商設備包裝

165-FBGA (13x15)

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

4Kb (512 x 8, 256 x 16)

內存接口

SPI

時鐘頻率

2MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

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Microchip Technology

制造商

Microchip Technology

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

EPROM

技術

EPROM - OTP

內存大小

512Kb (64K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

55ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)

供應商設備包裝

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