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MT53D512M64D4NW-046 WT ES:D

MT53D512M64D4NW-046 WT ES:D

僅供參考

型號 MT53D512M64D4NW-046 WT ES:D
PNEDA編號 MT53D512M64D4NW-046-WT-ES-D
描述 IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 8,910
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 27 - 二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT53D512M64D4NW-046 WT ES:D資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT53D512M64D4NW-046 WT ES:D
類別半導體內存IC內存

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MT53D512M64D4NW-046 WT ES:D規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - Mobile LPDDR4
內存大小32Gb (512M x 64)
內存接口-
時鐘頻率2133MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電1.1V
工作溫度-30°C ~ 85°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱432-VFBGA
供應商設備包裝432-VFBGA (15x15)

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內存接口

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時鐘頻率

3MHz

寫周期-字,頁

2ms

訪問時間

-

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

8-TSSOP

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制造商

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

32Mb (4M x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O

時鐘頻率

104MHz

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訪問時間

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電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

8-SOIC

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NAND

內存大小

64Gb (8G x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

32Mb (4M x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O

時鐘頻率

108MHz

寫周期-字,頁

3ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

256Mb (8M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

6ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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