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MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E TR

MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E TR

僅供參考

型號 MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E TR
PNEDA編號 MT53D512M64D4NZ-046-WT-ES-E-TR
描述 IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 5,472
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E TR
類別半導體內存IC內存

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MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - Mobile LPDDR4
內存大小32Gb (512M x 64)
內存接口-
時鐘頻率2133MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電1.1V
工作溫度-30°C ~ 85°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱376-WFBGA
供應商設備包裝376-WFBGA (14x14)

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內存類型

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

25ns

訪問時間

25ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

165-LBGA

供應商設備包裝

165-FBGA (15x17)

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

32Mb (4M x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

75MHz

寫周期-字,頁

15ms, 5ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

供應商設備包裝

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

16Mb (1M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

84ns

訪問時間

25ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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技術

EEPROM

內存大小

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內存接口

I²C

時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

400ns

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

1Gb (128M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

60ns

訪問時間

100ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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