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MT53E256M32D2DS-046 AAT:B TR

MT53E256M32D2DS-046 AAT:B TR

僅供參考

型號 MT53E256M32D2DS-046 AAT:B TR
PNEDA編號 MT53E256M32D2DS-046-AAT-B-TR
描述 IC DRAM LPDDR4 WFBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 5,364
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 4 - 十一月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT53E256M32D2DS-046 AAT:B TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT53E256M32D2DS-046 AAT:B TR
類別半導體內存IC內存

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MT53E256M32D2DS-046 AAT:B TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - Mobile LPDDR4
內存大小8Gb (256M x 32)
內存接口-
時鐘頻率2.133GHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電0.6V, 1.1V
工作溫度-40°C ~ 105°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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Micron Technology Inc.

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技術

SDRAM - Mobile LPDDR4

內存大小

8Gb (256M x 32)

內存接口

-

時鐘頻率

1.866GHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

0.6V, 1.1V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存接口

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時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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-

內存類型

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內存格式

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技術

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

內存大小

18Mb (512K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

100MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5ns

電壓-供電

2.375V ~ 2.625V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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技術

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

933MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

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電壓-供電

1.283V ~ 1.45V

工作溫度

-40°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

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IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

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技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

64Kb (8K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

17ns

訪問時間

17ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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