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MT53E256M32D2DS-053 AAT:B TR

MT53E256M32D2DS-053 AAT:B TR

僅供參考

型號 MT53E256M32D2DS-053 AAT:B TR
PNEDA編號 MT53E256M32D2DS-053-AAT-B-TR
描述 IC DRAM LPDDR4 WFBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 2,286
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT53E256M32D2DS-053 AAT:B TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT53E256M32D2DS-053 AAT:B TR
類別半導體內存IC內存

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MT53E256M32D2DS-053 AAT:B TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - Mobile LPDDR4
內存大小8Gb (256M x 32)
內存接口-
時鐘頻率1.866GHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電0.6V, 1.1V
工作溫度-30°C ~ 105°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

70ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

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電壓-供電

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內存類型

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內存格式

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內存大小

8Mb (1M x 8)

內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

1ms

訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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內存類型

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內存格式

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技術

EEPROM

內存大小

1Kb (128 x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

900ns

電壓-供電

2.7V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存接口

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時鐘頻率

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120ns

訪問時間

120ns

電壓-供電

4.75V ~ 5.25V

工作溫度

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安裝類型

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