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MTM861280LBF

MTM861280LBF

僅供參考

型號 MTM861280LBF
PNEDA編號 MTM861280LBF
描述 MOSFET P-CH 20V 1A WSSMINI6-F1
制造商 Panasonic Electronic Components
單價 請求報價
庫存 5,436
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MTM861280LBF資源

品牌 Panasonic Electronic Components
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MTM861280LBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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MTM861280LBF規格

制造商Panasonic Electronic Components
系列-
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)2.5V, 4V
Rds On(Max)@ Id,Vgs420mOhm @ 500mA, 4V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)±12V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds80pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)540mW (Ta)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝WSSMini6-F1
包裝/箱6-SMD, Flat Leads

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 39.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

73nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3410pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

417W (Tc)

工作溫度

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9A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

34mOhm @ 6.6A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.16nC @ 5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

535pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.4W (Ta), 13W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 240µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

187nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3660pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.5mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8840pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

230W (Tc)

工作溫度

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