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MTZJ9V1SA R0G

MTZJ9V1SA R0G

僅供參考

型號 MTZJ9V1SA R0G
PNEDA編號 MTZJ9V1SA-R0G
描述 DIODE ZENER 8.51V 500MW DO34
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 6,138
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MTZJ9V1SA R0G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MTZJ9V1SA R0G
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單

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MTZJ9V1SA R0G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
電壓-齊納(額定)(Vz)8.51V
公差±2%
功率-最大500mW
阻抗(最大值)(閽zt)25 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr500nA @ 6V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果-
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AG, DO-34, Axial
供應商設備包裝DO-34

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公差

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功率-最大

1W

阻抗(最大值)(閽zt)

4 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

150µA @ 5.2V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

-55°C ~ 175°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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功率-最大

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當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 51.7V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

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當前-反向泄漏@ Vr

3µA @ 1V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 10mA

工作溫度

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功率-最大

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阻抗(最大值)(閽zt)

-

當前-反向泄漏@ Vr

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

950mV @ 10mA

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包裝/箱

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當前-反向泄漏@ Vr

3µA @ 1V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 200mA

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