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MTZJT-779.1C

MTZJT-779.1C

僅供參考

型號 MTZJT-779.1C
PNEDA編號 MTZJT-779-1C
描述 DIODE ZENER 9.1V 500MW MSD
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,856
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 5 - 四月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MTZJT-779.1C資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MTZJT-779.1C
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單
數據表
MTZJT-779.1C, MTZJT-779.1C數據表 (總頁數: 4, 大小: 48.57 KB)
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MTZJT-779.1C規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
電壓-齊納(額定)(Vz)9.1V
公差±3%
功率-最大500mW
阻抗(最大值)(閽zt)20 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr500nA @ 6V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果-
工作溫度-
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AG, DO-34, Axial
供應商設備包裝MSD

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當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 5V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 200mA

工作溫度

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安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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工作溫度

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安裝類型

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阻抗(最大值)(閽zt)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 9V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C

安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 200mA

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安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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