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MUBW15-06A6

MUBW15-06A6

僅供參考

型號 MUBW15-06A6
PNEDA編號 MUBW15-06A6
描述 MODULE IGBT CBI E1
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 3,418
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 19 - 四月 24 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MUBW15-06A6資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MUBW15-06A6
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
MUBW15-06A6, MUBW15-06A6數據表 (總頁數: 5, 大小: 235.4 KB)
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MUBW15-06A6規格

制造商IXYS
系列-
IGBT類型NPT
配置Three Phase Inverter with Brake
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)18A
功率-最大61W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.5V @ 15V, 10A
當前-集電極截止(最大值)1mA
輸入電容(Cies)@ Vce0.57nF @ 25V
輸入Three Phase Bridge Rectifier
NTC熱敏電阻Yes
工作溫度-40°C ~ 125°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱E1
供應商設備包裝E1

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1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

功率-最大

4050W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 600A

當前-集電極截止(最大值)

3mA

輸入電容(Cies)@ Vce

37nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

Module

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IGBT類型

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配置

Half Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

150A

功率-最大

340W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

6.1nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

SP4

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制造商

Microsemi Corporation

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IGBT類型

Trench Field Stop

配置

Single

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

225A

功率-最大

480W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 15V, 150A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

9.2nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

SP1

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SP1

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IGBT類型

Trench Field Stop

配置

Half Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

2400A

功率-最大

20mW

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.15V @ 15V, 1200A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

65.5nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

325A

功率-最大

1050W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.7V @ 15V, 225A (Typ)

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

16nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

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