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MUN2131T1G

MUN2131T1G

僅供參考

型號 MUN2131T1G
PNEDA編號 MUN2131T1G
描述 TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,866
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 6 - 三月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MUN2131T1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MUN2131T1G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置
數據表
MUN2131T1G, MUN2131T1G數據表 (總頁數: 11, 大小: 170.74 KB)
PDFMMUN2131LT1G數據表 封面
MMUN2131LT1G數據表 頁面 2 MMUN2131LT1G數據表 頁面 3 MMUN2131LT1G數據表 頁面 4 MMUN2131LT1G數據表 頁面 5 MMUN2131LT1G數據表 頁面 6 MMUN2131LT1G數據表 頁面 7 MMUN2131LT1G數據表 頁面 8 MMUN2131LT1G數據表 頁面 9 MMUN2131LT1G數據表 頁面 10 MMUN2131LT1G數據表 頁面 11

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MUN2131T1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP - Pre-Biased
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)2.2 kOhms
電阻-發射極基(R2)2.2 kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce8 @ 5mA, 10V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic250mV @ 5mA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)500nA
頻率-過渡-
功率-最大230mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SC-59

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

PNP - Pre-Biased

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

100 kOhms

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

-

功率-最大

202mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-70, SOT-323

供應商設備包裝

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DTC114EUBTL

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制造商

Rohm Semiconductor

系列

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晶體管類型

NPN - Pre-Biased

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

10 kOhms

電阻-發射極基(R2)

10 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

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功率-最大

200mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Panasonic Electronic Components

系列

-

晶體管類型

PNP - Pre-Biased

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

22 kOhms

電阻-發射極基(R2)

47 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

-

功率-最大

125mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-89, SOT-490

供應商設備包裝

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制造商

Diodes Incorporated

系列

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晶體管類型

NPN - Pre-Biased

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

470 Ohms

電阻-發射極基(R2)

10 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

56 @ 50mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 2.5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

200MHz

功率-最大

200mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供應商設備包裝

SOT-23-3

DDTC143XE-7-F

Diodes Incorporated

制造商

Diodes Incorporated

系列

-

晶體管類型

NPN - Pre-Biased

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

4.7 kOhms

電阻-發射極基(R2)

10 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

250MHz

功率-最大

150mW

安裝類型

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