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MUR10010CTR

MUR10010CTR

僅供參考

型號 MUR10010CTR
PNEDA編號 MUR10010CTR
描述 DIODE MODULE 100V 100A 2TOWER
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,402
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MUR10010CTR資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MUR10010CTR
類別半導體二極管與整流器整流器-數組
數據表
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MUR10010CTR規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管配置1 Pair Common Anode
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)100V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)100A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.3V @ 50A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)75ns
當前-反向泄漏@ Vr25µA @ 50V
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Twin Tower
供應商設備包裝Twin Tower

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 300A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

20mA @ 1600V

工作溫度-結點

-

安裝類型

Chassis Mount

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20A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

700mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 50V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Through Hole

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二極管配置

1 Pair Common Cathode

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

850mV @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

15µA @ 200V

工作溫度-結點

-65°C ~ 175°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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二極管配置

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

16A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 100V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

15A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

700mV @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

3mA @ 60V

工作溫度-結點

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Through Hole

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