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MUR10020CTR

MUR10020CTR

僅供參考

型號 MUR10020CTR
PNEDA編號 MUR10020CTR
描述 DIODE MODULE 200V 100A 2TOWER
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,014
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MUR10020CTR資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MUR10020CTR
類別半導體二極管與整流器整流器-數組
數據表
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MUR10020CTR規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管配置1 Pair Common Anode
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)100A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.3V @ 50A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)75ns
當前-反向泄漏@ Vr25µA @ 50V
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Twin Tower
供應商設備包裝Twin Tower

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

8V @ 12A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

4µA @ 8000V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

120A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 120A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

45ns

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 200V

工作溫度-結點

-

安裝類型

Chassis Mount

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 150mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

6ns

當前-反向泄漏@ Vr

2.5mA @ 70V

工作溫度-結點

150°C (Max)

安裝類型

Surface Mount

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

12V @ 2A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 19200V

工作溫度-結點

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

980mV @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 200V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

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