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MUR1100-TP

MUR1100-TP

僅供參考

型號 MUR1100-TP
PNEDA編號 MUR1100-TP
描述 DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41
制造商 Micro Commercial Co
單價 請求報價
庫存 42,582
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MUR1100-TP資源

品牌 Micro Commercial Co
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MUR1100-TP
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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MUR1100-TP規格

制造商Micro Commercial Co
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1000V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.75V @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)75ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 1000V
電容@ Vr,F20pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AL, DO-41, Axial
供應商設備包裝DO-41
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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100V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 40V

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

50pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

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電流-平均整流(Io)

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 100V

電容@ Vr,F

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 60V

電容@ Vr,F

200pF @ 4V, 1MHz

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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2.2V @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

40ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 600V

電容@ Vr,F

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1000V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

75ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1000V

電容@ Vr,F

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