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MUR1100EG

MUR1100EG

僅供參考

型號 MUR1100EG
PNEDA編號 MUR1100EG
描述 DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 53,256
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 29 - 二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MUR1100EG資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MUR1100EG
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
MUR1100EG, MUR1100EG數據表 (總頁數: 6, 大小: 125.9 KB)
PDFMUR180ERL數據表 封面
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MUR1100EG規格

制造商ON Semiconductor
系列SWITCHMODE™
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1000V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.75V @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)100ns
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 1000V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AL, DO-41, Axial
供應商設備包裝Axial
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.4V @ 470A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

7µs

當前-反向泄漏@ Vr

30mA @ 800V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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包裝/箱

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 50V

電容@ Vr,F

17pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AL, DO-41, Axial

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

150V

電流-平均整流(Io)

2.5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.05V @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

40ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 150V

電容@ Vr,F

42pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

10.8µA @ 650V

電容@ Vr,F

110pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

800V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.85V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

75ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 800V

電容@ Vr,F

7.5pF @ 4V, 1MHz

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