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MUR115G

MUR115G

僅供參考

型號 MUR115G
PNEDA編號 MUR115G
描述 DIODE GEN PURP 150V 1A AXIAL
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 17,718
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 20 - 一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MUR115G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MUR115G
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
MUR115G, MUR115G數據表 (總頁數: 8, 大小: 178.57 KB)
PDFMUR160數據表 封面
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MUR115G規格

制造商ON Semiconductor
系列SWITCHMODE™
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)150V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果875mV @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)35ns
當前-反向泄漏@ Vr2µA @ 150V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AL, DO-41, Axial
供應商設備包裝Axial
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

3.6V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

5µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 2400V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

75ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

320mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

2mA @ 15V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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