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MUR160 B0G

MUR160 B0G

僅供參考

型號 MUR160 B0G
PNEDA編號 MUR160-B0G
描述 DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AC
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 6,372
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 4 - 十一月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MUR160 B0G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MUR160 B0G
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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MUR160 B0G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.25V @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)50ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 600V
電容@ Vr,F27pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AC, DO-15, Axial
供應商設備包裝DO-204AC (DO-15)
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

4ns

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 50V

電容@ Vr,F

2pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-35

工作溫度-結點

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1200V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

3.2V @ 30A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

85ns

當前-反向泄漏@ Vr

250µA @ 1200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

40ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 100V

電容@ Vr,F

70pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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電流-平均整流(Io)

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 30V

電容@ Vr,F

200pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

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