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MUR4100E

MUR4100E

僅供參考

型號 MUR4100E
PNEDA編號 MUR4100E
描述 DIODE GEN PURP 1KV 4A DO201AD
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,220
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MUR4100E資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MUR4100E
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
MUR4100E, MUR4100E數據表 (總頁數: 6, 大小: 127.1 KB)
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MUR4100E規格

制造商ON Semiconductor
系列SWITCHMODE™
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1000V
電流-平均整流(Io)4A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.85V @ 4A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)100ns
當前-反向泄漏@ Vr25µA @ 1000V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-201AA, DO-27, Axial
供應商設備包裝DO-201AD
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

20A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.63V @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

61ns

當前-反向泄漏@ Vr

15µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-2 Full Pack

供應商設備包裝

TO-220-2 Full Pack

工作溫度-結點

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

60V

電流-平均整流(Io)

600mA (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 400mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

6ns

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 60V

電容@ Vr,F

4pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AH, DO-35, Axial

供應商設備包裝

DO-35

工作溫度-結點

175°C (Max)

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

150V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

950mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

20ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 150V

電容@ Vr,F

45pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Micro Commercial Co

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

60V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

700mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 60V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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DO-214AC (SMA)

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

800V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

75ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 800V

電容@ Vr,F

17pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-204AL (DO-41)

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