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MUR7010R

MUR7010R

僅供參考

型號 MUR7010R
PNEDA編號 MUR7010R
描述 DIODE GEN PURP REV 100V 70A DO5
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,554
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MUR7010R資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MUR7010R
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
MUR7010R, MUR7010R數據表 (總頁數: 3, 大小: 712.29 KB)
PDFMUR7020R數據表 封面
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MUR7010R規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管類型Standard, Reverse Polarity
電壓-直流反向(Vr)(最大值)100V
電流-平均整流(Io)70A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1V @ 70A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)75ns
當前-反向泄漏@ Vr25µA @ 50V
電容@ Vr,F-
安裝類型Chassis, Stud Mount
包裝/箱DO-203AB, DO-5, Stud
供應商設備包裝DO-5
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

690mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 40V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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-

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

-

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

-

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

650V

電流-平均整流(Io)

8A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 8A

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 650V

電容@ Vr,F

560pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

30A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.65V @ 30A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

26ns

當前-反向泄漏@ Vr

30µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

30V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

550mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 30V

電容@ Vr,F

110pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-204AL (DO-41)

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