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MUR820G

MUR820G

僅供參考

型號 MUR820G
PNEDA編號 MUR820G
描述 DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 16,746
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MUR820G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MUR820G
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
MUR820G, MUR820G數據表 (總頁數: 10, 大小: 245.29 KB)
PDFMUR805數據表 封面
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MUR820G規格

制造商ON Semiconductor
系列SWITCHMODE™
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)8A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果975mV @ 8A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)35ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 200V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-2
供應商設備包裝TO-220AC
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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30V

電流-平均整流(Io)

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560mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

800µA @ 30V

電容@ Vr,F

750pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

50V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

950mV @ 40V

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

100pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-201AD, Axial

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DO-201AD

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1800V

電流-平均整流(Io)

500mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.8V @ 100mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

300ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1800V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-204AL (DO-41)

工作溫度-結點

-65°C ~ 175°C

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制造商

ON Semiconductor

系列

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

250V

電流-平均整流(Io)

200mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 200mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 200V

電容@ Vr,F

5pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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二極管類型

-

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

-

電流-平均整流(Io)

-

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

-

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

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