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MURH7060R

MURH7060R

僅供參考

型號 MURH7060R
PNEDA編號 MURH7060R
描述 DIODE GEN PURP 600V 70A D-67
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,560
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MURH7060R資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MURH7060R
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
MURH7060R, MURH7060R數據表 (總頁數: 3, 大小: 685.83 KB)
PDFMURH7060R數據表 封面
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MURH7060R規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)70A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.7V @ 70A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)110ns
當前-反向泄漏@ Vr25µA @ 600V
電容@ Vr,F-
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱D-67
供應商設備包裝D-67
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

20µA @ 1200V

電容@ Vr,F

635pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.33V @ 471A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

35mA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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60V

電流-平均整流(Io)

200mA (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

600mV @ 200mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 60V

電容@ Vr,F

14pF @ 1V, 1MHz

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

-

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

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16000V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

4µA @ 16000V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

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