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MURHB860CTT4G

MURHB860CTT4G

僅供參考

型號 MURHB860CTT4G
PNEDA編號 MURHB860CTT4G
描述 DIODE ARRAY GP 600V 4A D2PAK
制造商 ON Semiconductor
單價
1 ---------- $13.7361
100 ---------- $13.0922
250 ---------- $12.4483
500 ---------- $11.8044
750 ---------- $11.2679
1,000 ---------- $10.7313
庫存 9
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 9 - 四月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MURHB860CTT4G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MURHB860CTT4G
類別半導體二極管與整流器整流器-數組
數據表
MURHB860CTT4G, MURHB860CTT4G數據表 (總頁數: 4, 大小: 114.14 KB)
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MURHB860CTT4G規格

制造商ON Semiconductor
系列MEGAHERTZ™
二極管配置1 Pair Common Cathode
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)4A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果2.8V @ 4A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)35ns
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 600V
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝D2PAK-3

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

350V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

225mA (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 200mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 360V

工作溫度-結點

-65°C ~ 150°C

安裝類型

Surface Mount

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

200mA (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

800mV @ 100mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

5ns

當前-反向泄漏@ Vr

2µA @ 25V

工作溫度-結點

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安裝類型

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二極管配置

1 Pair Common Cathode

二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

960mV @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

30ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 200V

工作溫度-結點

-65°C ~ 175°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供應商設備包裝

TO-263AB (D²PAK)

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二極管配置

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.32V @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

45ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 400V

工作溫度-結點

-55°C ~ 175°C

安裝類型

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包裝/箱

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

150V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

16A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

950mV @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 150V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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