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MURS160T3G

MURS160T3G MURS160T3G

僅供參考

型號 MURS160T3G
PNEDA編號 MURS160T3G
描述 DIODE GEN PURP 600V 2A SMB
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 1,842,276
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 23 - 十一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MURS160T3G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MURS160T3G
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
MURS160T3G, MURS160T3G數據表 (總頁數: 6, 大小: 181.28 KB)
PDFMURS105T3數據表 封面
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MURS160T3G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)2A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.25V @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)75ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 600V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AA, SMB
供應商設備包裝SMB
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

650V

電流-平均整流(Io)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.55V @ 8A

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

160µA @ 600V

電容@ Vr,F

291pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-2 Full Pack

供應商設備包裝

TO-220FM

工作溫度-結點

175°C (Max)

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制造商

Infineon Technologies

系列

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二極管類型

Silicon Carbide Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

8A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.1V @ 8A

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

70µA @ 600V

電容@ Vr,F

240pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-2

供應商設備包裝

PG-TO220-2-1

工作溫度-結點

-55°C ~ 175°C

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)

5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

20µA @ 400V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

供應商設備包裝

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制造商

Taiwan Semiconductor Corporation

系列

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

90V

電流-平均整流(Io)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

850mV @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 90V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

45V

電流-平均整流(Io)

200mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

550mV @ 200mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 10V

電容@ Vr,F

9pF @ 10V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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