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MURS360SHE3/5BT

MURS360SHE3/5BT

僅供參考

型號 MURS360SHE3/5BT
PNEDA編號 MURS360SHE3-5BT
描述 DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 5,202
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 19 - 十一月 24 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MURS360SHE3/5BT資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MURS360SHE3/5BT
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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MURS360SHE3/5BT規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)3A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.45V @ 3A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)75ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 600V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AA, SMB
供應商設備包裝DO-214AA (SMB)
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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60V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

700mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 60V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-201AD, Axial

供應商設備包裝

DO-201AD

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

Automotive, AEC-Q101

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 2.5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 100V

電容@ Vr,F

44pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-214AB (SMC)

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

V3F6HM3/I

Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS®

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

60V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

620mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

600µA @ 60V

電容@ Vr,F

310pF @ 4V, 1MHz

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Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

60V

電流-平均整流(Io)

2A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

700mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 60V

電容@ Vr,F

160pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1.8µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

電容@ Vr,F

9pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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