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MURT10020R

MURT10020R

僅供參考

型號 MURT10020R
PNEDA編號 MURT10020R
描述 DIODE ARRAY GP REV POLAR 3TOWER
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,208
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MURT10020R資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MURT10020R
類別半導體二極管與整流器整流器-數組
數據表
MURT10020R, MURT10020R數據表 (總頁數: 3, 大小: 744.26 KB)
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MURT10020R規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管配置-
二極管類型Standard, Reverse Polarity
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)100A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.3V @ 50A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)75ns
當前-反向泄漏@ Vr25µA @ 50V
工作溫度-結點-40°C ~ 175°C
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Three Tower
供應商設備包裝Three Tower

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

950mV @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

150µA @ 60V

工作溫度-結點

-65°C ~ 175°C

安裝類型

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200mA (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 150mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

6ns

當前-反向泄漏@ Vr

2.5µA @ 70V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Surface Mount

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

60V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

6A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

610mV @ 6A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

3mA @ 60V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Surface Mount

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

500A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 400A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

60ns

當前-反向泄漏@ Vr

750µA @ 200V

工作溫度-結點

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 100mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

5ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 30V

工作溫度-結點

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