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MURT10040R

MURT10040R

僅供參考

型號 MURT10040R
PNEDA編號 MURT10040R
描述 DIODE ARRAY GP REV POLAR3TOWER
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,568
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MURT10040R資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MURT10040R
類別半導體二極管與整流器整流器-數組
數據表
MURT10040R, MURT10040R數據表 (總頁數: 3, 大小: 727 KB)
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MURT10040R規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管配置-
二極管類型Standard, Reverse Polarity
電壓-直流反向(Vr)(最大值)400V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)100A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.35V @ 50A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)90ns
當前-反向泄漏@ Vr25µA @ 50V
工作溫度-結點-40°C ~ 175°C
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Three Tower
供應商設備包裝Three Tower

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

500A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

750mV @ 250A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 20V

工作溫度-結點

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安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

-

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

45ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 300V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

40V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

530mV @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

550µA @ 40V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Surface Mount

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

40V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

120mA (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 40mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 40V

工作溫度-結點

150°C (Max)

安裝類型

Surface Mount

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

36A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.38V @ 80A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10mA @ 800V

工作溫度-結點

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安裝類型

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