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MURTA200120R

MURTA200120R

僅供參考

型號 MURTA200120R
PNEDA編號 MURTA200120R
描述 DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,542
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MURTA200120R資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MURTA200120R
類別半導體二極管與整流器整流器-數組
數據表
MURTA200120R, MURTA200120R數據表 (總頁數: 4, 大小: 845.94 KB)
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MURTA200120R規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管配置1 Pair Common Anode
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1200V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)100A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果2.6V @ 100A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr25µA @ 1200V
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Three Tower
供應商設備包裝Three Tower

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

850mV @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 100V

工作溫度-結點

-65°C ~ 175°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

850mV @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

300µA @ 100V

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

20ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 300V

工作溫度-結點

-55°C ~ 175°C

安裝類型

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包裝/箱

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.35V @ 35A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

75ns

當前-反向泄漏@ Vr

25µA @ 600V

工作溫度-結點

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安裝類型

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150A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.4V @ 150A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

130ns

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 600V

工作溫度-結點

-40°C ~ 150°C

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