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MURTA300120

MURTA300120

僅供參考

型號 MURTA300120
PNEDA編號 MURTA300120
描述 DIODE GEN PURP 600V 150A 3 TOWER
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,066
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 29 - 十二月 4 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MURTA300120資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MURTA300120
類別半導體二極管與整流器整流器-數組
數據表
MURTA300120, MURTA300120數據表 (總頁數: 4, 大小: 804.41 KB)
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MURTA300120規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管配置1 Pair Common Cathode
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)150A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果2.6V @ 150A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr25µA @ 600V
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Three Tower
供應商設備包裝Three Tower

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

20A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

680mV @ 20A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 100V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

650mV @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 45V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

40A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.8V @ 40A

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

800µA @ 1200V

工作溫度-結點

-

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

ISOTOP

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二極管配置

1 Pair Common Cathode

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

45V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

15A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

480mV @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

20mA @ 45V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Through Hole

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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4A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

700mV @ 4A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 50V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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