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MURTA40060R

MURTA40060R

僅供參考

型號 MURTA40060R
PNEDA編號 MURTA40060R
描述 DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,552
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MURTA40060R資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MURTA40060R
類別半導體二極管與整流器整流器-數組
數據表
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MURTA40060R規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管配置1 Pair Common Anode
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)200A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.7V @ 200A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr25µA @ 600V
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Three Tower
供應商設備包裝Three Tower

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

840mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 45V

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

940mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

2µA @ 200V

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

740mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

150µA @ 50V

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

850mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

工作溫度-結點

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