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MV2N4856

MV2N4856

僅供參考

型號 MV2N4856
PNEDA編號 MV2N4856
描述 N CHANNEL JFET
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 8,064
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MV2N4856資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MV2N4856
類別半導體晶體管晶體管-JFET

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MV2N4856規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/385
FET類型N-Channel
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)40V
漏極至源極電壓(Vdss)40V
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)175mA @ 15V
電流消耗(Id)-最大-
電壓-截止(VGS關閉)@ ID10V @ 500pA
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds18pF @ 10V
電阻-RDS(On)25 Ohms
功率-最大360mW
工作溫度-65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供應商設備包裝TO-18 (TO-206AA)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

1mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

500mV @ 10nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7pF @ 15V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

350mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供應商設備包裝

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制造商

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FET類型

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電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

30V

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

2mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

1V @ 10nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8pF @ 10V (VGS)

電阻-RDS(On)

250 Ohms

功率-最大

300mW

工作溫度

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包裝/箱

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電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

25V

漏極至源極電壓(Vdss)

25V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

24mA @ 10V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

2.5V @ 1nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5pF @ 10V (VGS)

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

225mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供應商設備包裝

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制造商

Microsemi Corporation

系列

Military, MIL-PRF-19500

FET類型

P-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

30V

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

25mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

4V @ 1nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

27pF @ 15V

電阻-RDS(On)

175 Ohms

功率-最大

500mW

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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FET類型

N-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

140µA @ 5V

電流消耗(Id)-最大

1mA

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

200mV @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3.5pF @ 5V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

100mW

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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