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MV2N4860

MV2N4860

僅供參考

型號 MV2N4860
PNEDA編號 MV2N4860
描述 N CHANNEL JFET
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 5,616
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 22 - 一月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MV2N4860資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MV2N4860
類別半導體晶體管晶體管-JFET

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MV2N4860規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/385
FET類型N-Channel
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)30V
漏極至源極電壓(Vdss)30V
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)100mA @ 15V
電流消耗(Id)-最大-
電壓-截止(VGS關閉)@ ID6V @ 500pA
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds18pF @ 10V
電阻-RDS(On)40 Ohms
功率-最大360mW
工作溫度-65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供應商設備包裝TO-18

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

25mA @ 20V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

2V @ 1nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

14pF @ 20V

電阻-RDS(On)

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

100mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

3V @ 3nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

30pF @ 0V

電阻-RDS(On)

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功率-最大

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

1mA @ 10V

電流消耗(Id)-最大

10mA

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

2.5V @ 0.5nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4pF @ 10V

電阻-RDS(On)

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

80µA @ 10V

電流消耗(Id)-最大

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電壓-截止(VGS關閉)@ ID

1V @ 1nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3pF @ 10V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

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Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供應商設備包裝

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NXP USA Inc.

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FET類型

N-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

50mA @ 20V

電流消耗(Id)-最大

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