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MVDF1N05ER2G

MVDF1N05ER2G

僅供參考

型號 MVDF1N05ER2G
PNEDA編號 MVDF1N05ER2G
描述 MOSFET 2N-CH 50V 2A 8SOIC
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,024
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MVDF1N05ER2G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MVDF1N05ER2G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
MVDF1N05ER2G, MVDF1N05ER2G數據表 (總頁數: 5, 大小: 110.17 KB)
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MVDF1N05ER2G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)50V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2A
Rds On(Max)@ Id,Vgs300mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs12.5nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds330pF @ 25V
功率-最大2W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.9A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

85mOhm @ 2.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.5nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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FET類型

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET功能

Logic Level Gate, 2.5V Drive

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

36.5mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.9nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25.1nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1415pF @ 15V

功率-最大

1.1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

12V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

42mOhm @ 1A, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1200pF @ 10V

功率-最大

1W

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

40nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

2.5W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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