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MWI50-12A7T

MWI50-12A7T

僅供參考

型號 MWI50-12A7T
PNEDA編號 MWI50-12A7T
描述 MOD IGBT SIXPACK RBSOA 1200V E2
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 5,508
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 25 - 三月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MWI50-12A7T資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MWI50-12A7T
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
MWI50-12A7T, MWI50-12A7T數據表 (總頁數: 4, 大小: 92.82 KB)
PDFMWI50-12A7T數據表 封面
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MWI50-12A7T規格

制造商IXYS
系列-
IGBT類型NPT
配置Three Phase Inverter
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)85A
功率-最大350W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.7V @ 15V, 50A
當前-集電極截止(最大值)4mA
輸入電容(Cies)@ Vce3.3nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻Yes
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱E2
供應商設備包裝E2

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配置

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

600A

功率-最大

3000W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 600A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

1.7nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 125°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

Module

APTGT50A170TG

Microsemi

制造商

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系列

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IGBT類型

Trench Field Stop

配置

Half Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1700V

當前-集電極(Ic)(最大值)

75A

功率-最大

312W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 50A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

4.4nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

SP4

供應商設備包裝

SP4

APTGT200DH60G

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

-

IGBT類型

Trench Field Stop

配置

Asymmetrical Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

290A

功率-最大

625W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 15V, 200A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

12.3nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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安裝類型

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配置

Single

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

600A

功率-最大

3785W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.6V @ 15V, 600A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

100nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

Module

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

150A

功率-最大

340W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

6.1nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

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