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MWI75-12T8T

MWI75-12T8T

僅供參考

型號 MWI75-12T8T
PNEDA編號 MWI75-12T8T
描述 IGBT MOD TRENCH SIX-PACK E3
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 4,194
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MWI75-12T8T資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MWI75-12T8T
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
MWI75-12T8T, MWI75-12T8T數據表 (總頁數: 7, 大小: 310.73 KB)
PDFMWI75-12T8T數據表 封面
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MWI75-12T8T規格

制造商IXYS
系列-
IGBT類型Trench
配置Three Phase Inverter
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)110A
功率-最大360W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.1V @ 15V, 75A
當前-集電極截止(最大值)3mA
輸入電容(Cies)@ Vce5.35nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻Yes
工作溫度-40°C ~ 125°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱E3
供應商設備包裝E3

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

210A

功率-最大

1250W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3V @ 15V, 150A

當前-集電極截止(最大值)

2.8mA

輸入電容(Cies)@ Vce

11nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

Module

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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配置

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

170A

功率-最大

658W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.82V @ 15V, 75A (Typ)

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

5.52nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

230A

功率-最大

781W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.45V @ 15V, 200A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

9nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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配置

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

150A

功率-最大

340W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

6.1nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

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安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

SP4

供應商設備包裝

SP4

制造商

IXYS

系列

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IGBT類型

NPT

配置

Single

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

121A

功率-最大

379W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.9V @ 15V, 130A

當前-集電極截止(最大值)

1.2mA

輸入電容(Cies)@ Vce

4.2nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

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