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MX25L12855FXCI-10G

MX25L12855FXCI-10G

僅供參考

型號 MX25L12855FXCI-10G
PNEDA編號 MX25L12855FXCI-10G
描述 IC FLASH 128M SPI 24CSPBGA
制造商 Macronix
單價 請求報價
庫存 6,186
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MX25L12855FXCI-10G資源

品牌 Macronix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MX25L12855FXCI-10G
類別半導體內存IC內存
數據表
MX25L12855FXCI-10G, MX25L12855FXCI-10G數據表 (總頁數: 101, 大小: 3,691.9 KB)
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MX25L12855FXCI-10G規格

制造商Macronix
系列MXSMIO™
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小128Mb (16M x 8)
內存接口SPI
時鐘頻率104MHz
寫周期-字,頁30µs, 3ms
訪問時間-
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱24-TBGA, CSPBGA
供應商設備包裝24-CSPBGA (6x8)

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

75ns

訪問時間

75ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

56-TSOP

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制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

1Kb (128 x 8)

內存接口

Single Wire

時鐘頻率

100kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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8-SOIC

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內存類型

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內存格式

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技術

PSRAM (Pseudo SRAM)

內存大小

64Mb (8M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

40ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

24-VBGA

供應商設備包裝

24-FBGA (6x8)

NAND128W3AABN6E

Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NAND

內存大小

128Mb (16M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

50ns

訪問時間

50ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

供應商設備包裝

48-TSOP I

24CW640T-I/SN

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制造商

Microchip Technology

系列

24CW

內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

64Kb (8K x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

450ns

電壓-供電

1.6V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

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