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N01L83W2AN25I

N01L83W2AN25I

僅供參考

型號 N01L83W2AN25I
PNEDA編號 N01L83W2AN25I
描述 IC SRAM 1M PARALLEL 32STSOP I
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,696
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 29 - 二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

N01L83W2AN25I資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號N01L83W2AN25I
類別半導體內存IC內存
數據表
N01L83W2AN25I, N01L83W2AN25I數據表 (總頁數: 10, 大小: 522.17 KB)
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N01L83W2AN25I規格

制造商ON Semiconductor
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Asynchronous
內存大小1Mb (128K x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁55ns
訪問時間55ns
電壓-供電2.3V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱32-LFSOP (0.465", 11.80mm Width)
供應商設備包裝32-sTSOP I

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內存格式

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技術

SRAM - Dual Port, Synchronous

內存大小

9Mb (256K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

4.2ns

電壓-供電

3.15V ~ 3.45V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

512Kb (64K x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

900ns

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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制造商

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系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Synchronous

內存大小

256Kb (16K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

15ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存大小

16Gb (256M x 64)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

800MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

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工作溫度

-30°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

-

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制造商

Renesas Electronics America Inc.

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

256Kb (32K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

90ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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