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N01L83W2AT25I

N01L83W2AT25I

僅供參考

型號 N01L83W2AT25I
PNEDA編號 N01L83W2AT25I
描述 IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP I
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,276
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 26 - 十二月 31 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

N01L83W2AT25I資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號N01L83W2AT25I
類別半導體內存IC內存
數據表
N01L83W2AT25I, N01L83W2AT25I數據表 (總頁數: 10, 大小: 522.17 KB)
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N01L83W2AT25I規格

制造商ON Semiconductor
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Asynchronous
內存大小1Mb (128K x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁55ns
訪問時間55ns
電壓-供電2.3V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱32-LFSOP (0.724", 18.40mm Width)
供應商設備包裝32-TSOP I

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

1.625GHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

-

電壓-供電

1.31V ~ 1.39V

工作溫度

0°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Sub-Base Mount

包裝/箱

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制造商

Fremont Micro Devices Ltd

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

1Kb (128 x 8 or 64 x 16)

內存接口

SPI

時鐘頻率

2MHz

寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

-

電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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包裝/箱

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Winbond Electronics

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內存類型

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內存格式

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技術

SDRAM - DDR

內存大小

64Mb (4M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

2.3V ~ 2.7V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

內存大小

4.5Mb (256K x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

4.2ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Adesto Technologies

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

104MHz

寫周期-字,頁

8µs, 3.5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.65V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

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