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N01S830BAT22I

N01S830BAT22I

僅供參考

型號 N01S830BAT22I
PNEDA編號 N01S830BAT22I
描述 IC SRAM 1M SPI 20MHZ 8TSSOP
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,624
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 26 - 五月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

N01S830BAT22I資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號N01S830BAT22I
類別半導體內存IC內存
數據表
N01S830BAT22I, N01S830BAT22I數據表 (總頁數: 13, 大小: 93.77 KB)
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N01S830BAT22I規格

制造商ON Semiconductor
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM
內存大小1Mb (128K x 8)
內存接口SPI
時鐘頻率20MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電2.5V ~ 5.5V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
供應商設備包裝8-TSSOP

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

70ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

32-VSOP

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Microchip Technology

制造商

Microchip Technology

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

128b (16 x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

4ms

訪問時間

3500ns

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

供應商設備包裝

8-TSSOP

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內存類型

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內存格式

FLASH

技術

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內存大小

128Gb (16G x 8)

內存接口

MMC

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.65V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

NVSRAM

技術

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

內存大小

4Mb (512K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

13.75ns

電壓-供電

1.283V ~ 1.45V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TC)

安裝類型

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包裝/箱

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