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N02L6181AB27I

N02L6181AB27I

僅供參考

型號 N02L6181AB27I
PNEDA編號 N02L6181AB27I
描述 IC SRAM 2M PARALLEL 48BGA
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,114
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 26 - 十二月 31 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

N02L6181AB27I資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號N02L6181AB27I
類別半導體內存IC內存
數據表
N02L6181AB27I, N02L6181AB27I數據表 (總頁數: 11, 大小: 630.87 KB)
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N02L6181AB27I規格

制造商ON Semiconductor
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Asynchronous
內存大小2Mb (128K x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁70ns
訪問時間70ns
電壓-供電1.65V ~ 2.2V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱48-LFBGA
供應商設備包裝48-BGA (6x8)

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

45ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

供應商設備包裝

32-TSOP

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Microchip Technology

制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

4Kb (512 x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

2MHz

寫周期-字,頁

6ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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SOT-23-6

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制造商

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系列

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

512Mb (128M x 4)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

700ps

電壓-供電

2.5V ~ 2.7V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

60-TFBGA

供應商設備包裝

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內存類型

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內存格式

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內存大小

16Mb (2M x 8, 1M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

供應商設備包裝

48-TSOP

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制造商

Renesas Electronics America

系列

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

4Mb (256K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

12ns

訪問時間

12ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

供應商設備包裝

44-TSOP II

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