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N02L63W2AT25I

N02L63W2AT25I

僅供參考

型號 N02L63W2AT25I
PNEDA編號 N02L63W2AT25I
描述 IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP II
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,556
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

N02L63W2AT25I資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號N02L63W2AT25I
類別半導體內存IC內存
數據表
N02L63W2AT25I, N02L63W2AT25I數據表 (總頁數: 11, 大小: 654.33 KB)
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N02L63W2AT25I規格

制造商ON Semiconductor
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Asynchronous
內存大小2Mb (128K x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁55ns
訪問時間55ns
電壓-供電2.3V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝44-TSOP II

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

NVSRAM

技術

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內存大小

64Kb (8K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

45ns

訪問時間

45ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

28-DIP (0.600", 15.24mm)

供應商設備包裝

28-DIP

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制造商

Micron Technology Inc.

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

64Mb (8M x 8, 4M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

75ns

訪問時間

75ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

64-TBGA

供應商設備包裝

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制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

4.5Mb (128K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.1ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

119-BBGA

供應商設備包裝

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制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

8Mb (512K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

45ns

電壓-供電

2.2V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

供應商設備包裝

44-TSOP II

24LC512-E/MF

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制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

512Kb (64K x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

900ns

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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