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N25Q256A13ESFH0F TR

N25Q256A13ESFH0F TR

僅供參考

型號 N25Q256A13ESFH0F TR
PNEDA編號 N25Q256A13ESFH0F-TR
描述 IC FLASH 256M SPI 108MHZ 16SOP2
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 6,120
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 9 - 十一月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

N25Q256A13ESFH0F TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號N25Q256A13ESFH0F TR
類別半導體內存IC內存
數據表
N25Q256A13ESFH0F TR, N25Q256A13ESFH0F TR數據表 (總頁數: 92, 大小: 1,295.07 KB)
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N25Q256A13ESFH0F TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小256Mb (64M x 4)
內存接口SPI
時鐘頻率108MHz
寫周期-字,頁8ms, 5ms
訪問時間-
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
供應商設備包裝16-SOP2

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Micron Technology Inc.

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內存類型

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內存格式

FLASH

技術

FLASH - NAND

內存大小

128Gb (16G x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

100MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

1Gb (64M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

60ns

訪問時間

110ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

DRAM - EDO

內存大小

4Mb (256K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

18ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

128Mb (16M x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

8ms, 2.8ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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SST25PF040C-40V/MF18GVAO

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制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

4Mb (512K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

40MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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