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N25S830HAS22IT

N25S830HAS22IT

僅供參考

型號 N25S830HAS22IT
PNEDA編號 N25S830HAS22IT
描述 IC SRAM 256K SPI 20MHZ 8SOIC
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,840
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

N25S830HAS22IT資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號N25S830HAS22IT
類別半導體內存IC內存
數據表
N25S830HAS22IT, N25S830HAS22IT數據表 (總頁數: 12, 大小: 92.62 KB)
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N25S830HAS22IT規格

制造商ON Semiconductor
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM
內存大小256Kb (32K x 8)
內存接口SPI
時鐘頻率20MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

33MHz

寫周期-字,頁

50µs

訪問時間

-

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

32-LCC (J-Lead)

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

20ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

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安裝類型

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

16Mb (2M x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

108MHz

寫周期-字,頁

8ms, 1ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 2V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

128Kb (8K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

20ns

訪問時間

20ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

84-PLCC (29.21x29.21)

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

72Mb (2M x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

167MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.4ns

電壓-供電

2.375V ~ 2.625V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

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