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NAND02GW3B2DZA6E

NAND02GW3B2DZA6E

僅供參考

型號 NAND02GW3B2DZA6E
PNEDA編號 NAND02GW3B2DZA6E
描述 IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 6,282
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NAND02GW3B2DZA6E資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NAND02GW3B2DZA6E
類別半導體內存IC內存
數據表
NAND02GW3B2DZA6E, NAND02GW3B2DZA6E數據表 (總頁數: 67, 大小: 1,815.56 KB)
PDFNAND02GW3B2DZA6E數據表 封面
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NAND02GW3B2DZA6E規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NAND
內存大小2Gb (256M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁25ns
訪問時間25ns
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱63-TFBGA
供應商設備包裝63-VFBGA (9.5x12)

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內存類型

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內存格式

EEPROM

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EEPROM

內存大小

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內存接口

I²C

時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

550ns

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

11LC080T-I/TT

Microchip Technology

制造商

Microchip Technology

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

8Kb (1K x 8)

內存接口

Single Wire

時鐘頻率

100kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

SOT-23-3

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Fremont Micro Devices Ltd

系列

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內存類型

-

內存格式

-

技術

-

內存大小

-

內存接口

-

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

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制造商

Rohm Semiconductor

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

4Kb (256 x 16)

內存接口

SPI

時鐘頻率

2MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

供應商設備包裝

8-TSSOP-B

AT49BV802D-70CU

Microchip Technology

制造商

Microchip Technology

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

8Mb (512K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

120µs

訪問時間

70ns

電壓-供電

2.65V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

48-VFBGA, CSBGA

供應商設備包裝

48-CBGA (6x8)

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